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题名/责任者:

碳化硅器件工艺核心技术/(希)康斯坦丁·泽肯特斯(KonstantinosZekentes)，(英)康斯坦丁·瓦西列夫斯基(KonstantinVasilevskiy)等著 贾护军，段宝兴，单光宝译

出版发行项:

北京:机械工业出版社,2024

ISBN及定价:

978-7-111-74188-6/CNY189.00

载体形态项:

16,411页:图;24cm

丛编项:

半导体与集成电路关键技术丛书

个人责任者:

(希) 泽肯特斯 (Zekentes, Konstantinos) 著

个人责任者:

(英) 瓦西列夫斯基 (Vasilevskiy, Konstantin) 著

个人次要责任者:

贾护军 译

个人次要责任者:

段宝兴 译

个人次要责任者:

单光宝 译

学科主题:

功率半导体器件-研究

中图法分类号:

TN303

一般附注:

机工电子

提要文摘附注:

本书共9章，以碳化硅(SiC)器件工艺为核心，重点介绍了SiC材料生长、表面清洗、欧姆接触、肖特基接触、离子注入、干法刻蚀、电解质制备等关键工艺技术，以及高功率SiC单极和双极开关器件、SiC纳米结构的制造和器件集成等，每一部分都涵盖了上百篇相关文献，以反映这些方面的最新成果和发展趋势。

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