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MARC状态:审校 文献类型:中文图书 浏览次数:50

题名/责任者:
用于集成电路仿真和设计的FinFET建模:基于BSIM-CMG标准/(印度) 尤盖希·辛格·楚罕 ... [等] 著 陈铖颖, 张宏怡, 荆有波译
出版发行项:
北京:机械工业出版社,2020
ISBN及定价:
978-7-111-65981-5/CNY99.00
载体形态项:
239页:图;24cm
并列正题名:
Using the BSIM-CMG standard
其它题名:
基于BSIM-CMG标准
丛编项:
微电子与集成电路先进技术丛书
个人责任者:
楚罕 (Chauhan, Yogesh Singh)
个人次要责任者:
陈铖颖
个人次要责任者:
张宏怡
个人次要责任者:
荆有波
学科主题:
集成电路-电路设计-系统建模
中图法分类号:
TN402
题名责任附注:
题名页题其余责任者: 达森·杜安·卢, 史利南库马尔·维努戈帕兰, 苏拉布·坎德瓦尔, 胡安·帕布鲁·杜阿尔特, 纳韦德·帕瓦多斯等
出版发行附注:
由Elsevier Inc.授权出版
相关题名附注:
英文题名取自封面
书目附注:
有书目
提要文摘附注:
本书从三维结构的原理、物理效应入手, 详细讨论了FinFET紧凑模型 (BSIM-CMG) 产生的背景、原理、参数以及实现方法 ; 同时讨论了在模拟和射频集成电路设计中所采用的仿真模型。本书避开了繁杂的公式推导, 而进行了更为直接的机理分析, 力求使得读者从工艺、器件层面理解BSIM-CMG的特点和使用方法。
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TN402/4102 60249466   临安自科(N-Z)(2F)(信息工程学院)     可借 临安自科(N-Z)(2F)(信息工程学院)
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