MARC状态：审校 文献类型：中文图书 浏览次数：54
- 题名/责任者:
- 纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器研究/赵晓锋著
- 出版发行项:
- 哈尔滨:黑龙江大学出版社,2009.08
- ISBN及定价:
- 978-7-81129-126-1/CNY25.00
- 载体形态项:
- 246页:图;21cm
- 丛编项:
- 黑龙江大学学术文库
- 个人责任者:
- 赵晓锋 著
- 学科主题:
- 压力传感器-研究
- 学科主题:
- 磁性传感器-研究
- 中图法分类号:
- TP212
- 书目附注:
- 有书目 (第234-246页)
- 提要文摘附注:
- 本书在温殿忠教授提出的JFET压/磁电效应基本理论基础上, 给出MOSFETs压/磁多功能传感器在四种情况下的基本理论分析。采用CMOS工艺和MEMS技术设计、制作以纳米硅/单晶硅异质结为源极 (S) 和漏极 (D) 的MOSFETs压/磁多功能传感器。
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| 索书号 | 条码号 | 年卷期 | 馆藏地 | 书刊状态 | 还书位置 |
| TP212/468 | 71521119 | - |  临安密1(信息工程学院)(不可借)
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非可借 | 临安密1(信息工程学院)(不可借) |
| TP212/468 | 71521120 | - | 临安密1(信息工程学院)(不可借)
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非可借 | 临安密1(信息工程学院)(不可借) |
| TP212/468 | 71521121 | - | 临安密1(信息工程学院)(不可借)
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非可借 | 临安密1(信息工程学院)(不可借) |
| TP212/468 | 71521122 | - | 临安密1(信息工程学院)(不可借)
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非可借 | 临安密1(信息工程学院)(不可借) |
| TP212/468 | 71521118 | - | 样本书阅览室（密集书库136）
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非可借 |
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