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题名/责任者:

半导体存储器件与电路/(美)余诗孟著 高滨，唐建石，吴华强译

出版发行项:

北京:机械工业出版社,2024

ISBN及定价:

978-7-111-76264-5/CNY99.00

载体形态项:

12,195页:图;24cm

并列正题名:

Semiconductor memory devices and circuits

丛编项:

集成电路科学与工程丛书

个人责任者:

(美) 余诗孟 著

个人次要责任者:

高滨 译

个人次要责任者:

唐建石 译

个人次要责任者:

吴华强 译

学科主题:

半导体器件

中图法分类号:

TN303

版本附注:

由Taylor & Francis出版集团旗下，CRC出版公司授权出版

相关题名附注:

封面英文题名：Semiconductor memory devices and circuits

提要文摘附注:

本书对半导体存储器技术进行了全面综合的介绍，覆盖了从底层的器件及单元结构到顶层的阵列设计，且重点介绍了近些年的工艺节点缩小趋势和最前沿的技术。本书第1部分讨论了主流的半导体存储器技术，第2部分讨论了多种新型的存储器技术，这些技术都有潜力能够改变现有的存储层级，同时也介绍了存储器技术在机器学习或深度学习中的新型应用。

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