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题名/责任者:

负电容场效应晶体管特性及其解析模型研究/蒋春生著

出版发行项:

北京:清华大学出版社,2020

ISBN及定价:

978-7-302-55663-3 精装/CNY89.00

载体形态项:

22, 149页, [11] 页图版:图;24cm

并列正题名:

Research on the electrical characteristics and analytical model of negative capacitance field effect transistor

丛编项:

清华大学优秀博士学位论文丛书

个人责任者:

蒋春生 著

学科主题:

场效应晶体管-研究

中图法分类号:

TN386

书目附注:

有书目 (第134-149页)

提要文摘附注:

本书采用数值仿真、解析建模和实验制备的手段对集成电路亚10nm阶段新型低功耗半导体器件 —— 负电容场效应晶体管 (NC-FET) 的工作原理和设计优化进行了研究。在负电容场效应晶体管的解析模型及其特性优化、新型负电容场效应晶体管器件的结构提出, 以及基于二维材料的负电容场效应晶体管的制备等方面, 进行了一系列原创性的探索。

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