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MARC状态:审校 文献类型:中文图书 浏览次数:47

题名/责任者:
半导体存储器件与电路/(美)余诗孟著 高滨,唐建石,吴华强译
出版发行项:
北京:机械工业出版社,2024
ISBN及定价:
978-7-111-76264-5/CNY99.00
载体形态项:
12,195页:图;24cm
并列正题名:
Semiconductor memory devices and circuits
丛编项:
集成电路科学与工程丛书
个人责任者:
(美) 余诗孟
个人次要责任者:
高滨
个人次要责任者:
唐建石
个人次要责任者:
吴华强
学科主题:
半导体器件
中图法分类号:
TN303
版本附注:
由Taylor & Francis出版集团旗下,CRC出版公司授权出版
相关题名附注:
封面英文题名:Semiconductor memory devices and circuits
提要文摘附注:
本书对半导体存储器技术进行了全面综合的介绍,覆盖了从底层的器件及单元结构到顶层的阵列设计,且重点介绍了近些年的工艺节点缩小趋势和最前沿的技术。本书第1部分讨论了主流的半导体存储器技术,第2部分讨论了多种新型的存储器技术,这些技术都有潜力能够改变现有的存储层级,同时也介绍了存储器技术在机器学习或深度学习中的新型应用。
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TN303/831 72591191   自然书库(3F东)     可借 自然书库(3F东)
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