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题名/责任者:

氮化镓基半导体异质结构及二维电子气/沈波, 唐宁著

出版发行项:

西安:西安电子科技大学出版社,2021

ISBN及定价:

978-7-5606-5906-0 精装/CNY88.00

载体形态项:

378页:图;24cm

并列正题名:

Gab based semiconductor heterostructures and two dimensional electron gas

丛编项:

宽禁带半导体前沿丛书

个人责任者:

沈波 著

个人责任者:

唐宁 著

学科主题:

氮化镓-半导体材料-异质结

学科主题:

氮化镓-半导体材料-物理性质

中图法分类号:

TN304

一般附注:

国家出版基金项目

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书基于国内外GaN基电子材料和器件的发展现状和趋势, 从晶体结构、能带结构、衬底材料、外延生长、射频电子器件和功率电子器件研制等方面详细论述了GaN基半导体异质结构和二维电子气的物理性质、国内外发展动态、面临的关键科学技术问题、主要的材料和器件研发成果及其应用情况和发展前景。

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