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MARC状态:审校 文献类型:中文图书 浏览次数:69

题名/责任者:
功率半导体器件基础/(美) B. Jayant Baliga著 韩郑生, 陆江, 宋李梅等译
出版发行项:
北京:电子工业出版社,2013
ISBN及定价:
978-7-121-19525-9/CNY79.00
载体形态项:
23, 566页:图;26cm
统一题名:
Fundamentals of power semiconductor devices
丛编项:
国外电子与通信教材系列
个人责任者:
巴利加 (Baliga, B. Jayant)
个人次要责任者:
韩郑生
个人次要责任者:
陆江
个人次要责任者:
宋李梅
学科主题:
半导体器件-教材
中图法分类号:
TN303
出版发行附注:
由Springer Science+Business Media授权出版
责任者附注:
责任者规范汉译姓: 巴利加
书目附注:
有书目
提要文摘附注:
本书介绍了电力电子领域广泛应用的各类功率半导体器件。介绍了器件的基本结构、物理机理、设计原则及应用可靠性,内容以硅功率半导体器件为主,同时也涵盖了新兴的碳化硅功率器件。全书首先从基本半导体理论开始,依次介绍了各类常用的功率半导体器件,采用物理模型分析及数值模拟验证结合的方式,辅助大量详实的图表数据,帮助读者全面透彻理解功率半导体器件的特性。
全部MARC细节信息>>
索书号 条码号 年卷期 馆藏地 书刊状态 还书位置
TN303/724 71889630  - 自然书库(3F东)     可借 现代技术部(1F)
TN303/724 71889631  - 自然书库(3F东)     可借 现代技术部(1F)
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