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题名/责任者:

不同形貌GaN纳米线制备技术/崔真,李恩玲,王含笑著

出版发行项:

北京:冶金工业出版社,2023

ISBN及定价:

978-7-5024-9595-4/CNY72.00

载体形态项:

161页:图;24cm

并列正题名:

Preparation technology of GaN nanowires with different morphologies

个人责任者:

崔真 著

个人责任者:

李恩玲 著

个人责任者:

王含笑 著

学科主题:

纳米材料-研究

中图法分类号:

TB383

相关题名附注:

英文题名取自封面

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书以西安理工大学光电材料制备与器件设计团队近20年所开展的GaN基材料制备与场发射特性研究为依托, 通过化学气相沉积法可控制备出塔形、铅笔形、针尖状、绳形、竹叶形、螺旋形及三维分支结构的GaN纳米线, 阐明了这些不同形貌GaN纳米线的合成机理, 发现它们因具有特殊的结构和大的场增强因子而具有优异的光电和场发射特性。

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