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题名/责任者:

碳化硅功率器件:特性、测试和应用技术/高远, 陈桥梁编著

出版发行项:

北京:机械工业出版社,2021

ISBN及定价:

978-7-111-68175-5/CNY99.00

载体形态项:

XIV, 311页:图;24cm

并列正题名:

Characteristics, testing and applications:characteristics, testing and applications

其它题名:

特性、测试和应用技术

丛编项:

电力电子新技术系列图书

个人责任者:

高远 编著

个人责任者:

陈桥梁 编著

学科主题:

功率半导体器件

中图法分类号:

TN303

相关题名附注:

英文题名取自封面

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书介绍了碳化硅功率器件的基本原理、特性、测试方法以及应用技术, 概括了近年学术界和工业界的最新研究成果。本书共分为9个章节, 分别为功率半导体器件的基础, SiC MOSFET参数解读、测试及应用, 双脉冲测试, SiC与Si器件特性对比, 高di/dt影响与应对 —— 关断电压尖峰, 高dv/dt影响与应对 —— crosstalk, 共模电流的影响与应对, 共源极电感的影响与应对及驱动电路设计。

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