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题名/责任者:

多尺度模拟方法在半导体材料位移损伤研究中的应用/贺朝会...[等]著

出版发行项:

北京:科学出版社,2023

ISBN及定价:

978-7-03-076469-0/CNY150.00

载体形态项:

198页:图;24cm

丛编项:

辐射环境模拟与效应丛书

个人责任者:

贺朝会 著

学科主题:

半导体材料-损伤-研究

中图法分类号:

TN304

题名责任附注:

题名页题其余责任者: 唐杜, 臧航, 邓亦凡, 田赏

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书从位移损伤的概念和特点入手, 引入位移损伤缺陷的产生及演化模拟研究涉及的模拟方法, 系统介绍了不同尺度的模拟方法, 包括辐射与材料相互作用模拟方法、分子动力学方法、动力学蒙特卡罗方法、第一性原理方法、器件电学性能模拟方法等, 并分别给出了多尺度模拟方法在硅、砷化镓、碳化硅、氨化镓材料位移损伤研究中的应用, 实例展示多尺度模拟方法的具体应用, 期望帮助相关科研人员掌握多尺度模拟方法。此外, 不同于多尺度模拟方法的简单教程, 本书通过多尺度模拟研究揭示的位移损伤规律更具学术意义, 研究成果对理解辐射在半导体材料中的位移损伤机理有重要价值。

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