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题名/责任者:

硅半导体器件辐射效应及加固技术/刘文平著

出版发行项:

北京:科学出版社,2013

ISBN及定价:

978-7-03-038702-8/CNY60.00

载体形态项:

viii, 222页:图;24cm

个人责任者:

刘文平 著

学科主题:

硅-半导体器件-辐射效应

学科主题:

硅-半导体器件-抗辐射性-加固

中图法分类号:

TN304.1

书目附注:

有书目 (第213-222页)

提要文摘附注:

本书重点介绍了硅半导体器件的电离辐射损伤效应及其抗辐射加固的基本原理和方法。全书共分六章，主要内容包括空间电离辐射环境、半导体电离辐射损伤、器件单粒子翻转率的基本概念和基本机理的介绍与分析，硅双极半导体器件、MOS器件、SOI器件和硅DMOS器件电离总剂量辐射效应、瞬时剂量率辐射效应、单粒子辐射效应的基本机理及其与关键设计参数、工艺参数的关系以及辐射加固的基本原理和基本方法的分析，纳米级器件结构的辐射效应以及相关辐射加固的基本原理的概述和展望。

使用对象附注:

本书可供微电子专业的研究生和从事微电子专业的科技人员进行抗辐射半导体器件研究开发、设计制造参考。

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