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题名/责任者:

应变硅纳米MOS器件辐照效应及加固技术/郝敏如著

出版发行项:

北京:中国石化出版社,2020

ISBN及定价:

978-7-5114-5793-6/CNY68.00

载体形态项:

192页:图;24cm

个人责任者:

郝敏如 著

学科主题:

应变-硅-纳米材料-微电子技术-电子器件-辐射

学科主题:

应变-硅-纳米材料-微电子技术-电子器件-加固

中图法分类号:

TN4

书目附注:

有书目 (第171-192页)

提要文摘附注:

本书首先阐述应变Si技术的优势, 研究应变对能带结构的改变及器件电学特性的增强机制, 详细分析了γ射线总剂量辐照损伤效应对MOS器件的影响机理 ; 其次, 建立应变Si纳米MOS器件阈值电压、跨导等与总剂量辐照以及器件几何、物理参数之间的关系, 及栅隧穿及热载流子栅电流模型 ; 最后, 研究纳米Si NMOS器件单粒子瞬态效应的相关研究, 并提出抗辐照加固的应变Si纳米MOS器件新型器件结构。

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