MARC状态:审校 文献类型:中文图书 浏览次数:22
- 题名/责任者:
- 应变硅纳米MOS器件辐照效应及加固技术/郝敏如著
- 出版发行项:
- 北京:中国石化出版社,2020
- ISBN及定价:
- 978-7-5114-5793-6/CNY68.00
- 载体形态项:
- 192页:图;24cm
- 个人责任者:
- 郝敏如 著
- 学科主题:
- 应变-硅-纳米材料-微电子技术-电子器件-辐射
- 学科主题:
- 应变-硅-纳米材料-微电子技术-电子器件-加固
- 中图法分类号:
- TN4
- 书目附注:
- 有书目 (第171-192页)
- 提要文摘附注:
- 本书首先阐述应变Si技术的优势, 研究应变对能带结构的改变及器件电学特性的增强机制, 详细分析了γ射线总剂量辐照损伤效应对MOS器件的影响机理 ; 其次, 建立应变Si纳米MOS器件阈值电压、跨导等与总剂量辐照以及器件几何、物理参数之间的关系, 及栅隧穿及热载流子栅电流模型 ; 最后, 研究纳米Si NMOS器件单粒子瞬态效应的相关研究, 并提出抗辐照加固的应变Si纳米MOS器件新型器件结构。
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索书号 | 条码号 | 年卷期 | 馆藏地 | 书刊状态 | 还书位置 |
TN4/484 | 72380706 | ![]() |
可借 | 自然书库(3F东) | |
TN4/484 | 72380707 | ![]() |
可借 | 自然书库(3F东) |
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