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题名/责任者:

固态电子器件/(美) Ben G. Streetman, (美) Sanjay K. Banerjee著 杨建红, 李海蓉, 田永辉译

出版发行项:

北京:电子工业出版社,2018

ISBN及定价:

978-7-121-31565-7/CNY109.00

载体形态项:

xvi, 411页:图;26cm

统一题名:

Solid state electronic devices

丛编项:

国外电子与通信教材系列

个人责任者:

斯特里特曼 (Streetman, Ben G. ) 著

个人责任者:

班纳吉 (Banerjee, Sanjay K. ) 著

个人次要责任者:

杨建红 译

个人次要责任者:

李海蓉 译

个人次要责任者:

田永辉 译

学科主题:

半导体器件-固态器件-电子器件-教材

中图法分类号:

TN301

版本附注:

据原书第七版译出

出版发行附注:

本书中文简体字版专有出版权由Pearson Education（培生教育出版集团）授予电子工业出版社

责任者附注:

Ben G. Streetman，得克萨斯大学奥斯汀分校Cockrell工程学院名誉院长，电子与计算机工程名誉教授和Dula D. Cockrell主席。

责任者附注:

Sanjay K. Banerjee，现任得克萨斯大学奥斯汀分校电子与计算机工程首席教授、微电子研究中心主任。

责任者附注:

责任者Streetman规范汉译姓: 斯特里特曼 ; 责任者Banerjee规范汉译姓: 班纳吉

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书分为固体物理基础和半导体器件物理两大部分，共10章。第1章至第4章介绍半导体材料及其生长技术、量子力学基础、半导体能带以及过剩载流子。第5章至第10章介绍各种电子器件和集成电路的结构、工作原理以及制造工艺等，包括：p-n结、金属一半导体结、异质结；场效应晶体管；双极结型晶体管；光电子器件；高频、大功率及纳电子器件。第9章使用较大篇幅介绍CMOS制造工艺，从器件物理角度介绍SRAM、DRAM、CCD、闪存等集成器件的结构和工作原理。

使用对象附注:

本书可作为高等院校微电子、固态器件与电路、半导体材料、电子科学与技术等专业的基础课程的教材，也可供器件与集成电路等相关领域的研究人员和技术人员参考。

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