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题名/责任者:

基于氧化镓的超宽禁带半导体薄膜生长与表征:英文/张法碧著

出版发行项:

武汉:华中科技大学出版社,2020

ISBN及定价:

978-7-5680-5903-9/CNY48.00

载体形态项:

158页:图;24cm

并列正题名:

Growth and characterization of Ga2O3-based wide bandgap semiconductor films

个人责任者:

张法碧 著

学科主题:

半导体薄膜技术-研究-英文

中图法分类号:

TN304.055

题名责任附注:

正题名中“2”为“Ga2O3”中“Ga”的右下角标 “3”为“Ga2O3”中“O”的右下角标

题名责任附注:

200字段信息取自CIP数据

提要文摘附注:

本书主要研究了新一带超宽禁带半导体材料——氧化镓的基本性质。全书从氧化镓的基本性质与国内外研究现状入手，论述了氧化镓生长质量的影响因素，论述了利用掺杂来氧化镓电导率调制的方法与机制，论述了分别利用氧化铟和氧化铝和氧化镓来形成合金从而调节其禁带宽度的方法与机制。

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