MARC状态：审校 文献类型：中文图书 浏览次数：38
- 题名/责任者:
- 硅中部分位错演化的分子模拟/王超营 ... [等] 著
- 出版发行项:
- 哈尔滨:哈尔滨工程大学出版社,2014
- ISBN及定价:
- 978-7-5661-0939-2/CNY17.00
- 载体形态项:
- 89页:图;26cm
- 个人责任者:
- 王超营 著
- 学科主题:
- 计算机模拟-应用-化合物半导体
- 中图法分类号:
- TN304.2
- 书目附注:
- 有书目 (第83-89页)
- 提要文摘附注:
- 本书以硅锗异质结构外延生长过程中产生的部分位错为研究背景，采用分子模拟方法研究硅中部分位错的运动特性以及与其他缺陷的相互作用。
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| 索书号 | 条码号 | 年卷期 | 馆藏地 | 书刊状态 |
| TN304.2/144 | 72067627 | - |  自然书库（3F东）
|
可借 |
| TN304.2/144 | 72067628 | - | 自然书库（3F东）
|
可借 |
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