MARC状态：审校 文献类型：中文图书 浏览次数：76
- 题名/责任者:
- 氮化物半导体太赫兹器件/冯志红编著 参编王元刚 ... [等]
- 出版发行项:
- 西安:西安电子科技大学出版社,2022
- ISBN及定价:
- 978-7-5606-6312-8 精装/CNY128.00
- 载体形态项:
- 307页, [4] 页图版:图 (部分彩图);25cm
- 丛编项:
- 宽禁带半导体前沿丛书
- 个人责任者:
- 冯志红 编著
- 个人次要责任者:
- 王元刚 参编
- 个人次要责任者:
- 孙建东 参编
- 学科主题:
- 电磁辐射-应用-氮化镓-半导体器件-研究
- 中图法分类号:
- TN303
- 一般附注:
- 国家出版基金项目
- 题名责任附注:
- 题名页题: 参编王元刚, 孙建东, 吕元杰, 吴爱华, 宋旭波等
- 提要文摘附注:
- 随着太赫兹技术的发展, 传统固态器件在耐受功率等方面已经很难提升, 导致现有的太赫兹源输出功率低, 不能满足太赫兹系统工程化的需求。宽禁带半导体氮化镓具有更高击穿场强、更高热导率和更低介电常数的优点, 在研制大功率固态源、高速调制和高灵敏探测方面具有优势。本书主要介绍氮化物太赫兹器件的最新进展, 包括氮化镓太赫兹二极管、三极管、倍频器、功率放大器、直接调制器和高灵敏探测器等, 涉及器件的基本工作原理、设计方法、工艺方法、测试方法和应用等。
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| 索书号 | 条码号 | 年卷期 | 馆藏地 | 书刊状态 | 还书位置 |
| TN303/3421 | 60269584 |  临安自科(N-Z)(2F)(信息工程学院)
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可借 | 临安自科(N-Z)(2F)(信息工程学院) | |
| TN303/3421 | 60269585 | 临安自科(N-Z)(2F)(信息工程学院)
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可借 | 临安自科(N-Z)(2F)(信息工程学院) | |
| TN303/3421 | 72505014 | 自然书库（3F东）
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可借 | 自然书库（3F东） | |
| TN303/3421 | 72505015 | 自然书库（3F东）
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可借 | 现代技术部（1F） | |
| TN303/3421 | 72505016 | 自然书库（3F东）
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可借 | 自然书库（3F东） |
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