MARC状态：审校 文献类型：中文图书 浏览次数：22
- 题名/责任者:
- 微纳米MOS器件可靠性与失效机理/郝跃, 刘红侠著
- 出版发行项:
- 北京:科学出版社,2008
- ISBN及定价:
- 978-7-03-020586-5 精装/CNY78.00
- 载体形态项:
- 14, 446页:图;25cm
- 丛编项:
- 半导体科学与技术丛书
- 个人责任者:
- 郝跃 著
- 个人责任者:
- 刘红侠 著
- 学科主题:
- 纳米材料-微电子技术-电子器件-可靠性-研究
- 中图法分类号:
- TN4
- 一般附注:
- 国家科学技术学术著作出版基金资助出版
- 提要文摘附注:
- 本书主要介绍了微纳米MOS器件的失效机理与可靠性理论，目的是在微电子器件可靠性理论和微电子器件的设计与应用之间建立联系，阐述微纳米MOS器件的主要可靠性问题和系统的解决方法。
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| 索书号 | 条码号 | 年卷期 | 馆藏地 | 书刊状态 | 还书位置 |
| TN4/460.2 | 71300887 | - |  样本书阅览室（密集书库136）
|
非可借 | |
| TN4/460.2 | 71300888 | - | 自然书库（3F东）
|
可借 | 现代技术部（1F） |
| TN4/460.2 | 71300889 | - | 自然书库（3F东）
|
可借 |
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