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题名/责任者:

集成功率器件设计及TCAD仿真/付越 ... 等著 杨兵译

出版发行项:

北京:机械工业出版社,2018

ISBN及定价:

978-7-111-59273-0/CNY125.00

载体形态项:

xiii, 321页, [8] 页图版:图 (部分彩图);24cm

并列正题名:

Integrated power devices and TCAD simulation

丛编项:

微电子与集成电路先进技术丛书

个人责任者:

付越 著

个人责任者:

李占明 著

个人责任者:

吴卫东 著

个人次要责任者:

杨兵 译

学科主题:

集成电路-功率半导体器件-计算机辅助设计

中图法分类号:

TN303

题名责任附注:

题名页题: 付越, 李占明, (加) 吴卫东, 约翰尼 K.O. 辛 (Johnny K.O. Sin)等著

相关题名附注:

英文并列题名取自封面：Integrated power devices and TCAD simulation

提要文摘附注:

本书从电力电子到功率集成电路(PIC)、智能功率技术、器件等方面给电源管理和半导体产业提供了一个完整的描述。本书不仅介绍了集成功率半导体器件，如横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(LDMOSFET)、横向绝缘栅双极型晶体管(LIGBT)和超结LDMOSFET的内部物理现象，还对电源管理系统进行了一个简单的介绍。本书运用计算机辅助设计技术(TCAD)仿真实例讲解集成功率半导体器件的设计，代替抽象的理论处理和令人生畏的方程，并且还探讨了下一代功率器件，如氮化镓高电子迁移率功率晶体管(GaN功率HEMT)。

使用对象附注:

本书可作为高等学校功率器件工程、电子科学与技术、电子与信息工程等专业高年级本科生和研究生有关集成功率器件方面课程的教材或参考书，也可作为相关领域专业人士的参考书。

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