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题名/责任者:

新型瞬态电真空半导体光电子器件与技术/母一宁 ... [等] 著

出版发行项:

北京:国防工业出版社,2019

ISBN及定价:

978-7-118-11811-7/CNY89.00

载体形态项:

166页:图;21cm

个人责任者:

母一宁 著

个人责任者:

刘春阳 著

个人责任者:

陈卫军 著

学科主题:

半导体光电器件-真空微电子器件

中图法分类号:

TN103

题名责任附注:

著者还有: 刘春阳, 陈卫军, 宋德

书目附注:

有书目 (第152-162页)

提要文摘附注:

本书阐述近年来新型瞬态电真空半导体光电子器件内涵、特点、研究意义与国内外发展现状；对影响新型瞬态电真空半导体光电子器件总体设计方案的多种外界约束条件和性能指标进行分析；重点论述新型瞬态电真空半导体光电子器件总体情况与发展趋势，并论述了宽禁带紫外半导体激射原理，电真空光电倍增原理与复合探测机制，真空半导体电子倍增成像器件以及未来光电调制技术等。

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