MARC状态：审校 文献类型：中文图书 浏览次数：109
- 题名/责任者:
- 宽禁带半导体氧化镓:结构、制备与性能/陶绪堂 ... [等] 编著
- 出版发行项:
- 西安:西安电子科技大学出版社,2022
- ISBN及定价:
- 978-7-5606-6444-6 精装/CNY128.00
- 载体形态项:
- 316页, [2] 页图版:图 (部分彩图);25cm
- 并列正题名:
- Wide bandgap gallium oxide semiconductor:structure, growth and physical properties
- 其它题名:
- 结构、制备与性能
- 丛编项:
- 宽禁带半导体前沿丛书
- 个人责任者:
- 陶绪堂 编著
- 个人责任者:
- 穆文祥 编著
- 个人责任者:
- 贾志泰 编著
- 学科主题:
- 禁带-氧化镓-半导体材料
- 中图法分类号:
- TN304
- 一般附注:
- 国家出版基金项目
- 题名责任附注:
- 题名页题: 陶绪堂, 穆文祥, 贾志泰, 叶建东编著
- 书目附注:
- 有书目
- 提要文摘附注:
- 氧化镓作为新型的宽禁带半导体材料, 在高压功率器件、深紫外光电探测、高亮度LED等方面都具有重要的应用前景。本书从氧化镓半导体材料的发展历程、材料特性、材料制备原理与技术及电学性质调控等几个方面做了较全面的介绍。重点梳理了作者及国内外同行在单晶制备方法、衬底加工、纳米结构及薄膜外延方面的研究成果。系统阐述了获得高质量体块单晶、纳米结构材料及薄膜的思路和方法, 并对氧化镓材料的发展进行了综述和展望。
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| 索书号 | 条码号 | 年卷期 | 馆藏地 | 书刊状态 | 还书位置 |
| TN304/729 | 60269336 |  临安自科(N-Z)(2F)(信息工程学院)
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可借 | 临安自科(N-Z)(2F)(信息工程学院) | |
| TN304/729 | 60269337 | 临安自科(N-Z)(2F)(信息工程学院)
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可借 | 临安自科(N-Z)(2F)(信息工程学院) | |
| TN304/729 | 72499400 | 集贤居（后勤）
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非可借 | 集贤居（后勤） | |
| TN304/729 | 72499401 | 集贤居（后勤）
|
非可借 | 集贤居（后勤） | |
| TN304/729 | 72499398 | 自然书库（3F东）
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可借 | 自然书库（3F东） | |
| TN304/729 | 72499399 | 自然书库（3F东）
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借出-应还日期：2024-12-23 | 自然书库（3F东） |
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