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题名/责任者:

磁掺杂拓扑绝缘体拓扑性质研究及新型拓扑材料的寻找/汤沛哲著

出版发行项:

北京:清华大学出版社,2018

ISBN及定价:

978-7-302-49151-4 精装/CNY99.00

载体形态项:

xv, 160页:图 (部分彩图);24cm

并列正题名:

Topological properties of magnetically doped toplogical insulators and the search of new topological materials

丛编项:

清华大学优秀博士学位论文丛书

个人责任者:

汤沛哲 著

学科主题:

绝缘体-拓扑特点-研究

中图法分类号:

TM21

书目附注:

有书目 (第137-155页)

提要文摘附注:

本书是拓扑绝缘体是目前物理学热点领域之一，对其磁掺杂是实现新奇量子效应的有效途径；寻找新型拓扑材料是提升拓扑绝缘体性能的重点。在该论文中作者在此前的理论和实验的基础上，运用电子结构计算和低能有效模型，结合实验数据，系统分析了Cr掺杂Bi2Se3、Sb2Te3等材料的电子结构，对形成磁序及发生拓扑相变的条件展开理论探索，同时成功预测新型拓扑材料。

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