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MARC状态:审校 文献类型:中文图书 浏览次数:33

题名/责任者:
先进的高压大功率器件:原理、特性和应用/(美) B. Jayant Baliga著 于坤山 ... [等] 译
出版发行项:
北京:机械工业出版社,2015
ISBN及定价:
978-7-111-49307-5/CNY99.00
载体形态项:
xiv, 442页:图;24cm
统一题名:
Advanced high voltage power device concepts
丛编项:
国际电气工程先进技术译丛
个人责任者:
巴利加 (Baliga, B. Jayant)
个人次要责任者:
于坤山
学科主题:
大功率-功率半导体器件
中图法分类号:
TN303
出版发行附注:
本书中文简体字版由Springer授权机械工业出版社独家出版
责任者附注:
B.Jayant Baliga,男,功率半导体器件领域的国际著名专家,IGBT的发明人。
责任者附注:
责任者Baliga规范汉译姓: 巴利加
书目附注:
有书目
提要文摘附注:
本书第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用,定义了理想功率开关的电特性,并与典型器件的电特性进行了比较。第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。第4章讨论了硅门极关断晶闸管结构。第5章致力于分析硅基IGBT结构,以提供对比分析的标准。第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。
使用对象附注:
本书的读者对象包括在校学生、功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人员。该书适合高等院校有关专业用作教材或专业参考书,亦可被电力电子学界和广大的功率器件和装置生产企业的工程技术人员作为参考书之用。
全部MARC细节信息>>
索书号 条码号 年卷期 馆藏地 书刊状态 还书位置
TN303/724.2 72030689  - 自然书库(3F东)     可借 现代技术部(1F)
TN303/724.2 72030690  - 自然书库(3F东)     可借 总借还书处(2F)
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