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题名/责任者:

抗辐射集成电路设计理论与方法/高武著

出版发行项:

北京:清华大学出版社,2018

ISBN及定价:

978-7-302-50529-7 精装/CNY139.00

载体形态项:

308页, [8] 页图版:图 (部分彩图);27cm

并列正题名:

Design theories and methods of radiation-hardened CMOS integrated circuits

个人责任者:

高武 著

学科主题:

抗辐射性-集成电路-电路设计

中图法分类号:

TN402

责任者附注:

高武, 西北工业大学教授, 2011年获得法国斯特拉斯堡大学微电子学博士学位, 主要研究方向包括抗辐射集成电路设计、空间嵌入式系统设计等。

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书综合国内外关于辐射效应、损伤机理和辐射加固设计技术方面的资料, 对抗辐射集成电路设计概念、基础理论和相关技术等进行全面总结和论述。本书内容分为十三章, 辐射环境介绍, 辐射相互作用物理过程, 电力总剂量效应, 位移损伤效应, 单粒子效应等。

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