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MARC状态:审校 文献类型:中文图书 浏览次数:49

题名/责任者:
宽禁带半导体功率器件:材料、物理、设计及应用/(美)贾扬·巴利加(B.JayantBaliga)等著 杨兵译
出版发行项:
北京:机械工业出版社,2024
ISBN及定价:
978-7-111-73693-6/CNY149.00
载体形态项:
11,331页:图;24cm
其它题名:
材料、物理、设计及应用
丛编项:
半导体与集成电路关键技术丛书
丛编项:
微电子与集成电路先进技术从书
个人责任者:
(美) 巴利加 (Baliga, B. Jayant) 著
个人次要责任者:
杨兵
学科主题:
禁带-半导体器件-研究
中图法分类号:
TN303
版本附注:
由ELSEVIER INC.授权出版
提要文摘附注:
本书系统地讨论了第三代半导体材料SiC和GaN的物理特性,以及功率应用中不同类型的器件结构,同时详细地讨论了SiC和GaN功率器件的设计、制造,以及智能功率集成中的技术细节。也讨论了宽禁带半导体功率器件的栅极驱动设计,以及SiC和GaN功率器件的应用。最后对宽禁带半导体功率器件的未来发展进行了展望。
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索书号 条码号 年卷期 馆藏地 书刊状态 还书位置
TN303/724.3 60326295   临安自科(N-Z)(2F)(信息工程学院)     可借 临安自科(N-Z)(2F)(信息工程学院)
TN303/724.3 60326296   临安自科(N-Z)(2F)(信息工程学院)     可借 临安自科(N-Z)(2F)(信息工程学院)
TN303/724.3 72585624   自然书库(3F东)     可借 自然书库(3F东)
TN303/724.3 72585625   自然书库(3F东)     可借 自然书库(3F东)
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