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题名/责任者:

先进半导体材料及器件的辐射效应/(比)C. Claeys, (比)E. Simoen著 刘忠立译

出版发行项:

北京:国防工业出版社,2008

ISBN及定价:

978-7-118-05408-8 精装/CNY55.00

载体形态项:

13, 428页:图;21cm

并列正题名:

Radiation effects in advanced semiconductor materials and devices

个人责任者:

(比) 克拉艾 C. 著

个人责任者:

(比) Claeys C. 著

个人责任者:

(比) 西蒙恩 E. 著

个人责任者:

(比) Simoen E. 著

个人次要责任者:

刘忠立 译

学科主题:

高技术-半导体材料-辐射效应

学科主题:

高技术-半导体器件-辐射效应

中图法分类号:

TN304

一般附注:

本书由总装备部装备科技译著出版基金资助出版

版本附注:

由Springer-Verlag Berlin Heidelberg授权出版

提要文摘附注:

本书在介绍辐射环境、空间应用器件的选择策略以及半导体材料和器件的基本辐射效应机理的基础上，介绍IV族半导体材料、CaAs材料、硅双极器件以及MOS器件的辐射损伤等，并对先进半导体材料及器件的应用前景进行展望。

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