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题名/责任者:

模拟CMOS集成电路设计/(美) 毕查德·拉扎维著 陈贵灿 ... [等] 译

版本说明:

第2版

出版发行项:

西安:西安交通大学出版社,2018

ISBN及定价:

978-7-5693-0992-8/CNY138.00

载体形态项:

[24], 724页:图;26cm

统一题名:

Design of analog CMOS integrated circuits

个人责任者:

拉扎维 (Razavi，Behzad) 著

个人次要责任者:

陈贵灿 译

学科主题:

CMOS电路-电路设计-教材

中图法分类号:

TN432.02

一般附注:

国外名校最新教材精选

著录信息附注:

根据2019年第2次印刷本著录。

版本附注:

据原书第2版译出 本授权英文影印删减版

出版发行附注:

本授权中文简体字翻译版由麦格劳-希尔（亚洲）教育出版公司和清华大学出版社合作出版

责任者附注:

毕查德·拉扎维 (Behzad Razavi)，于1985年在沙里夫理工大学的电气工程系获得理学学士学位，并分别于1988年和1992年在斯坦福大学电气工程系获得理学硕士和博士学位。他曾在AT&T贝尔实验室工作，随后又受聘于Hewlett-Packard实验室。

书目附注:

有书目和索引

提要文摘附注:

本书是模拟CMOS集成电路设计方面的经典教材，介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计，着重讲解该技术的最新进展和设计实例，从MOSFET器件的基本物理特性开始，逐章分析CMOS放大单元电路、差分放大器、频率响应、噪声、反馈放大器与稳定性、运算放大器、电压基准源与电流基源、离散时间系统、差分电路及反馈系统中的非线性、振荡器和锁相环等基础模拟电路的分析与设计。本书还介绍了集成电路的基本制造工艺、版图和封装设计的基本原则。

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