杭州电子科技大学图书馆书目检索系统

Online Public Access Catalogue

题名/责任者:

氮化物宽禁带半导体材料与电子器件/郝跃，张金风，张进成著

出版发行项:

北京:科学出版社,2013

ISBN及定价:

978-7-03-036717-4 精装/CNY86.00

载体形态项:

11,303页:图;25cm

丛编项:

半导体科学与技术丛书

个人责任者:

郝跃 著

个人责任者:

张金风 著

个人责任者:

张进成 著

学科主题:

氮化物-禁带-半导体材料

学科主题:

氮化物-禁带-电子器件

中图法分类号:

TN304

提要文摘附注:

本书以作者多年的研究成果为基础，系统地介绍了Ⅲ族氮化物宽禁带半导体材料与电子器件的物理特性和实现方法，重点介绍了半导体高电子迁移率晶体管（HEMT）与相关氮化物材料。全书共14章，内容包括：氮化物材料的基本性质、异质外延方法和机理，HEMT材料的电学性质，AlCaN/GaN和InAlN/GaN异质结的生长和优化、材料缺陷分析，GaNHEMT器件的原理和优化、制备工艺和性能、电热退化分析，GaN增强型HEMT器件和集成电路，GaN MOS-HEMT器件，最后给出了该领域未来技术发展的几个重要方向。

豆瓣简介：