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题名/责任者:

CMOS射频集成电路设计/(美)Thomas H. Lee著 余志平，周润德等译

版本说明:

2版

出版发行项:

北京:电子工业出版社,2024.03

ISBN及定价:

978-7-121-47453-8/CNY159.00

载体形态项:

19,595页:图;26cm

并列正题名:

Design of CMOS radio-frequency integrated circuits

个人责任者:

(美) 李 (Lee, Thomas H.) 著

个人次要责任者:

余志平 译

个人次要责任者:

周润德 译

学科主题:

CMOS电路-电路设计-高等学校-教材

中图法分类号:

TN432

一般附注:

国外电子与通信教材系列 华信 CAMBRIDGE

版本附注:

据原书第2版译出

出版发行附注:

限中国大陆发行

提要文摘附注:

本书介绍了设计吉赫兹(GHz)CMOS射频集成电路的细节。全书首先介绍了无线电发展史和无线系统原理；在回顾集成电路元件特性、MOS器件物理和模型、RLC串并联和其他振荡网络及分布式系统特点的基础上，介绍了史密斯圆图、S参数和带宽估计技术；说明了现代高频宽带放大器的设计方法，讨论了关键的射频电路模块，包括低噪声放大器(LNA)、基准电压源、混频器、射频功率放大器、振荡器和频率综合器；并对于射频集成电路中存在的各类噪声及噪声特性进行了探讨；最后考察了收发器的总体结构并展望了射频电路未来发展的前景。

使用对象附注:

本书适用于电路设计相关专业师生及从业者

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