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题名/责任者:

纳米级CMOS超大规模集成电路可制造性设计/(美) Sandip Kundu, (印) Aswin Sreedhar著 王昱阳, 谢文遨译

出版发行项:

北京:科学出版社,2014

ISBN及定价:

978-7-03-040034-5/CNY58.00

载体形态项:

xi, 261页:图;24cm

统一题名:

Nanoscale CMOS VLSI circuits design for manufacturability

个人责任者:

孔杜 (Kundu, Sandip) 著

个人责任者:

Sreedhar Aswin 著

个人次要责任者:

王昱阳 译

个人次要责任者:

谢文遨 译

学科主题:

纳米材料-CMOS电路-超大规模集成电路-电路设计

中图法分类号:

TN432.02

出版发行附注:

由麦格劳－希尔 (亚洲) 教育出版公司和中国科技出版传媒股份有限公司合作出版 本书限中国大陆发行

相关题名附注:

书名原名取自版权页

责任者附注:

责任者Kundu规范汉译姓: 孔杜

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书的内容包括：CMOS VLSI电路设计的技术趋势；半导体制造前期技术；当前和未来CMOS器件中的工艺参数偏差及其影响；通过版图分析实现光刻控制的基本原理及重要的光刻参数和概念，半导体制造中出现的多种制造缺陷等。

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