MARC状态：审校 文献类型：中文图书 浏览次数：220
- 题名/责任者:
- 模拟CMOS集成电路设计/(美)Behzad Razavi著 王志华注释
- 出版发行项:
- 北京:机械工业出版社,2013.7
- ISBN及定价:
- 978-7-111-43027-8/CNY79.00
- 载体形态项:
- 16, 684页;22cm
- 个人责任者:
- 拉扎维 (Razavi, Behzad) 著
- 个人次要责任者:
- 王志华 注释
- 中图法分类号:
- TN432.02
- 一般附注:
- 国外电子电气经典教材系列
- 提要文摘附注:
- 本书介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计，着重讲解技术的最新进展和设计实例，从MOSFET器件的基本物理特性开始，逐章分析CMOS放大单元电路、差分放大器、频率相应、噪声、反馈放大器与稳定性、运算放大器、电压基准源与电流基准源等。
- 使用对象附注:
- 本书适合作为CMOS模拟集成电路设计或相关领域的研究人员和工程技术人员的参考书。
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| 索书号 | 条码号 | 年卷期 | 馆藏地 | 书刊状态 | 还书位置 |
| TN432.02/552 | 71900612 | - |  密集书库126（2F咨询台委托借阅）
M0060674 |
借出-应还日期：2024-02-10 | 密集书库126（2F咨询台委托借阅） |
| TN432.02/552 | 71900614 | - | 密集书库126（非可借）
|
非可借 | 密集书库126（非可借） |
| TN432.02/552 | 71900613 | - | 自然书库（3F东）
|
可借 | 自然书库（3F东） |
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