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题名/责任者:

第三代半导体技术与应用/姚玉, 洪华主编

出版发行项:

广州:暨南大学出版社,2021

ISBN及定价:

978-7-5668-3238-2/CNY128.00

载体形态项:

330页:图 (部分彩图);26cm

并列正题名:

Third generation of semiconductor technology and application

丛编项:

中国芯片制造系列

个人责任者:

姚玉 主编

个人责任者:

洪华 主编

学科主题:

半导体技术

中图法分类号:

TN3

责任者附注:

姚玉, 博士毕业于加拿大不列颠哥伦比亚大学, 多年来专注于半导体先进封装制程材料、工艺及理论的研究。洪华, 东南大学电子科学与工程学院、国家示范性微电子学院、MEMS教育部重点实验室助理教授。

书目附注:

有书目 (第315-326页)

提要文摘附注:

本书较为全面地阐述了不同晶型的碳化硅从长晶、衬底制造、外延制造全流程的生产技术, 展现了国内外碳化硅制造领域近期的发展成果, 论述了碳化硅材料的热力学性质、生长原理、晶体掺杂和缺陷控制等相关基础理论, 以及生长数据建模、测试表征等各方面知识, 介绍了碳化硅上的氮化镓生长、碳化硅材料加工与封装关键工艺和碳化硅器件在各个领域的应用、前景及发展趋势等知识, 是读者全面了解第三代半导体器件与系统的重要参考。

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