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题名/责任者:

晶体生长中输运现象及晶体缺陷/方海生, 刘胜著

出版发行项:

北京:科学出版社,2019

ISBN及定价:

978-7-03-061162-8 精装/CNY168.00

载体形态项:

xii, 351页:图;25cm

并列正题名:

Transport phenomena during crystal growth and crystal defects

个人责任者:

方海生 著

个人责任者:

刘胜 著

学科主题:

晶体生长-输运过程

学科主题:

晶体缺陷

中图法分类号:

O78

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书首先阐述晶体生长的基本原理和输运现象，并介绍计算流体力学方法；其次着重讨论薄膜制备中传热和传质现象，包括薄膜制备系统的复杂化学反应机理，并介绍与传热和传质相关的晶体缺陷；然后，以多晶硅、蓝宝石、氮化镓等应用广泛的晶体为例，讨论块状晶体、薄膜晶体制备过程的研究方法和优化策略；最后，书中进一步讨论从分子动力学角度理解开裂、位错等晶体缺陷形成的机理，以及采用第一性原理辅助的分子动力学方法预测热物性参数的理论。

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