检索到 28 条 分类号=TN304.2 的结果
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中文图书1.氮化铝单晶材料生长与应用 TN304.2/220
馆藏复本：5
可借复本：5 徐科, 黄俊编著
西安电子科技大学出版社 2022
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中文图书2.TiO2和WO3的氧空位调控及其光电磁学特性 TN304.2/844
馆藏复本：3
可借复本：3 郑旭东著
化学工业出版社 2023
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中文图书3.SiCp/Al-Si基复合材料的制备技术及组织性能 TN304.2/121
馆藏复本：3
可借复本：3 王爱琴 ... [等] 著
科学出版社 2023
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中文图书4.宽禁带化合物半导体材料与器件.第2版 TN304.2/214
馆藏复本：3
可借复本：3 朱丽萍 ... [等] 编著
浙江大学出版社 2022
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中文图书5.基于表面改性的氮化镓纳米材料 TN304.2/981
馆藏复本：3
可借复本：3 肖美霞, 宋海洋, 王博著
中国石化出版社 2022
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中文图书6.硅基光电子学.第2版 TN304.2/731/2
馆藏复本：1
可借复本：0 周治平著
科学出版社 2021
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中文图书7.AlX化合物结构与性质的第一性原理研究 TN304.2/0401
馆藏复本：3
可借复本：3 刘超著
冶金工业出版社 2020
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中文图书8.硅基锗材料生长与器件构筑 TN304.2/748
馆藏复本：2
可借复本：2 陈城钊著
哈尔滨工程大学出版社 2020
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中文图书9.透明氧化物半导体 TN304.2/7311
馆藏复本：2
可借复本：1 马洪磊, 马瑾著
科学出版社 2014
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中文图书10.金属氧化物半导体纳米线的物性研究及器件研制 TN304.2/040
馆藏复本：3
可借复本：3 廖蕾著
武汉理工大学出版社 2017
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西文图书11.Gallium nitride (GaN) : physics, devices, and technology / TN304.2/BM1
馆藏复本：1
可借复本：1 edited by Farid Medjdoub, Krzysztof Iniewski.
CRC Press, c2016.
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中文图书12.硅中部分位错演化的分子模拟 TN304.2/144
馆藏复本：2
可借复本：2 王超营 ... [等] 著
哈尔滨工程大学出版社 2014
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中文图书13.硅通孔3D集成技术:导读版英文 TN304.2/033
馆藏复本：1
可借复本：1 （美）刘汉诚（Lau,J.H.）著
科学出版社 2014.1
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西文图书14.Compound Semicondutor Device Physics TN304.2/T1
馆藏复本：1
可借复本：0 Tiwari , Sandip
Academic Press c1992
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中文图书15.碳化硅半导体材料与器件 TN304.2/820
馆藏复本：3
可借复本：3 (美)Michael Shur, (美)Sergey Rumyantsev, (俄)Michael Levinshtein主编
电子工业出版社 2012
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中文图书16.硅基光电子学 TN304.2/731
馆藏复本：3
可借复本：3 (美)周治平主编
北京大学出版社 2012
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西文图书17.Silicon carbide / TN304.2/BF1
馆藏复本：2
可借复本：2 ed. by Peter Friedrichs...[et al.].
Wiley-VCH, 2010.
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中文图书18.化合物半导体器件 TN304.2/620
馆藏复本：5
可借复本：5 吕红亮, 张玉明, 张义门编著
电子工业出版社 2009
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西文图书19.Einstein relation in compound semiconductors and their nanostructures / TN304.2/BG2
馆藏复本：1
可借复本：1 Kamakhya Prasad Ghatak, Sitangshu Bhattacharya, Debashis De.
Springer, c2009.
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西文图书20.Narrow-gap Semicondutors and Related Materials TN304.2/N2
馆藏复本：1
可借复本：1
Adam Hilger c1990
(0) 馆藏
