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• 010 __ |a 978-7-118-11454-6 |d CNY98.00

• 100 __ |a 20181122d2017 em y0chiy50 ea

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• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a a a 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 宽禁带半导体高频及微波功率器件与电路 |A kuan jin dai ban dao ti gao pin ji wei bo gong lu^ qi jian yu dian lu |d = Wide bandgap semiconductor and microwave power devices with circuits |f 赵正平等著 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 国防工业出版社 |d 2017

• 215 __ |a 22, 291页 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a 雷达与探测前沿技术丛书 |A lei da yu tan ce qian yan ji shu cong shu

• 300 __ |a 国家出版基金项目 “十二五”国家重点出版规划项目

• 314 __ |a 赵正平，男，江苏扬州人，研究员级高工，1982年获得南京工学院电子工程系半导体物理与器件专业工学硕士学位。现任中国电子科技集团公司集团科技委副主任，中国航空工业集团公司外部董事。

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书重点介绍了SiC和GaN宽禁带半导体高频开关和微波功率器件与电路的最新进展与实用制备技术。全书共5章：第1章介绍电力电子和固态微波器件的发展及其在雷达领域的应用；第2章介绍SiC和GaN宽禁带半导体材料等。

• 410 _0 |1 2001 |a 雷达与探测前沿技术丛书

• 510 1_ |a Wide bandgap semiconductor and microwave power devices with circuits |z eng

• 606 0_ |a 禁带 |A jin dai |x 微波半导体器件 |x 电路

• 690 __ |a TN385 |v 5

• 701 _0 |a 赵正平 |A zhao zheng ping |4 著

• 801 _0 |a CN |b HDUL |c 20190426

• 905 __ |a HDUL |d TN385/411

• 920 __ |a 233030 |z 1