机读格式显示(MARC)
- 010 __ |a 978-7-121-12809-7 |d CNY45.00
- 100 __ |a 20110309d2011 ekmy0chiy50 ea
- 200 1_ |a 微电子器件 |A Wei Dian Zi Qi Jian |f 陈星弼, 张庆中, 陈勇编著
- 210 __ |a 北京 |c 电子工业出版社 |d 2011
- 215 __ |a 304页 |c 图 |d 26cm
- 225 2_ |a 电子科学与技术专业规划教材 |A Dian Zi Ke Xue Yu Ji Shu Zhuan Ye Gui Hua Jiao Cai
- 300 __ |a 普通高等教育“十一五”国家级规划教材
- 330 __ |a 本书首先介绍半导体器件基本方程。在此基础上,全面系统地介绍PN结二极管、双极结型晶体管(BJT)和绝缘栅场效应晶体管(MOSFET)的基本结构、基本原理、工作特性和SPICE模型。本书还介绍了主要包括HEMT和HBT的异质结器件。书中提供大量习题,便于读者巩固及加深对所学知识的理解。
- 410 _0 |1 2001 |a 电子科学与技术专业规划教材
- 606 0_ |a 微电子技术 |A Wei Dian Zi Ji Shu |x 电子器件 |x 高等学校 |j 教材
- 701 _0 |a 陈星弼 |A Chen Xing Bi |4 编著
- 701 _0 |a 张庆中 |A Zhang Qing Zhong |4 编著
- 701 _0 |a 陈勇 |A Chen Yong |4 编著
- 801 _0 |a CN |b HDUL |c 20110616
- 905 __ |a HDUL |d TN4/761