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• 010 __ |a 978-7-03-061173-4 |d CNY130.00

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• 200 1_ |a 微电子器件物理 |A wei dian zi qi jian wu li |f 刘艳红, 冯秋菊编著

• 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2019

• 215 __ |a xv, 333页 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a 信息科学技术学术著作丛书 |A xin xi ke xue ji shu xue shu zhu zuo cong shu

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书涉及的微电子器件包括二极管、双极晶体管、GaAs场效应晶体管、MOS场效应晶体管等微电子器件, 从其静态特性、直接特性、小信号交流特性、开关特性、击穿特性等方面对其性能及机理进入了深入的分析与讨论, 揭示了器件性能与器件结构参数、工艺参数及物理参数间的关系。还介绍了纳米CMOS器件所要解决的主要问题, 有助于读者了解小尺寸器件进一步发展所需要解决的主要问题。

• 410 _0 |1 2001 |a 信息科学技术学术著作丛书

• 606 0_ |a 微电子技术 |A wei dian zi ji shu |x 电子器件 |x 物理学 |x 研究

• 690 __ |a TN4 |v 5

• 701 _0 |a 刘艳红 |A liu yan hong |4 编著

• 701 _0 |a 冯秋菊 |A feng qiu ju |4 编著

• 801 _0 |a CN |b HDUL |c 20190920

• 905 __ |a HDUL |d TN4/0521

• 920 __ |a 233030 |z 1