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• 001 0000573153

• 005 20151102104300.0

• 010 __ |a 978-7-111-49307-5 |d CNY99.00

• 100 __ |a 20150604d2015 em y0chiy50 ea

• 101 1_ |a chi |c eng

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a a a 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 先进的高压大功率器件 |A xian jin de gao ya da gong lu^ qi jian |e 原理、特性和应用 |d = Advanced high voltage power device concepts |f (美) B. Jayant Baliga著 |g 于坤山 ... [等] 译 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2015

• 215 __ |a xiv, 442页 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a 国际电气工程先进技术译丛 |A guo ji dian qi gong cheng xian jin ji shu yi cong

• 306 __ |a 本书中文简体字版由Springer授权机械工业出版社独家出版

• 314 __ |a B.Jayant Baliga，男，功率半导体器件领域的国际著名专家，IGBT的发明人。

• 314 __ |a 责任者Baliga规范汉译姓: 巴利加

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用，定义了理想功率开关的电特性，并与典型器件的电特性进行了比较。第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。第4章讨论了硅门极关断晶闸管结构。第5章致力于分析硅基IGBT结构，以提供对比分析的标准。第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。

• 333 __ |a 本书的读者对象包括在校学生、功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人员。该书适合高等院校有关专业用作教材或专业参考书，亦可被电力电子学界和广大的功率器件和装置生产企业的工程技术人员作为参考书之用。

• 410 _0 |1 2001 |a 国际电气工程先进技术译丛

• 500 10 |a Advanced high voltage power device concepts |m Chinese

• 606 0_ |a 大功率 |A da gong lu^ |x 功率半导体器件

• 690 __ |a TN303 |v 5

• 701 _1 |a 巴利加 |A ba li jia |g (Baliga, B. Jayant) |4 著

• 702 _0 |a 于坤山 |A yu kun shan |4 译

• 801 _0 |a CN |b HDUL |c 20151102

• 905 __ |a HDUL |d TN303/724.2

• 920 __ |a 233030 |z 1