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- 010 __ |a 978-7-111-60498-3 |d CNY98.00
- 100 __ |a 20181030d2018 em y0chiy50 ea
- 200 1_ |a 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)设计与工艺 |A jue yuan zha shuang ji xing jing ti guan(IGBT)she ji yu gong yi |b 专著 |d Design and process of insulated gate bipolar transistor |f 赵善麒,高勇,王彩琳等编著 |z eng
- 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2018.10
- 215 __ |a 10,294页 |c 图,照片 |d 24cm
- 225 1_ |a 智能制造与装备制造业转型升级丛书 |A Zhi Neng Zhi Zao Yu Zhuang Bei Zhi Zao Ye Zhuan Xing Sheng Ji Cong Shu
- 300 __ |a “十三五”国家重点出版物出版规划项目 电力电子新技术系列图书
- 330 __ |a 本书共分10章,包括器件结构和工作原理、器件特性分析、器件设计、器件制造工艺、器件仿真、器件封装、器件测试、器件可靠性和失效分析、器件应用和衍生器件及SiC-IGBT。
- 333 __ |a 本书适用于电气、自动化、新能源等领域从事电力电子技术的广大工程技术人员和研究生
- 510 1_ |a Design and process of insulated gate bipolar transistor |z eng
- 606 0_ |a 绝缘栅场效应晶体管 |A Jue Yuan Zha Chang Xiao Ying Jing Ti Guan
- 701 _0 |a 赵善麒 |A zhao shan qi |4 编著
- 701 _0 |a 高勇 |A gao yong |4 编著
- 701 _0 |a 王彩琳 |A wang cai lin |4 编著
- 801 _0 |a CN |b HDUL |c 20181115
- 905 __ |a HDUL |d TN386.2/480