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• 000 01592nam0 2200361 450

• 001 0000440116

• 005 20130108144100.0

• 010 __ |a 978-7-121-17755-2 |d CNY59.00

• 100 __ |a 20121017d2012 em y0chiy0110 ea

• 101 1_ |a chi |c eng

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a a z 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 碳化硅半导体材料与器件 |A tan hua gui ban dao ti cai liao yu qi jian |d SiC materials and devices, volume Ⅰ&Ⅱ |f (美)Michael Shur, (美)Sergey Rumyantsev, (俄)Michael Levinshtein主编 |g 杨银堂，贾护军，段宝兴译 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 电子工业出版社 |d 2012

• 215 __ |a 11,332页 |c 图 |d 26cm

• 300 __ |a 国外电子与通信教材系列

• 305 __ |a 由World Scientific Publishing Co.Pte Ltd.授权出版

• 330 __ |a 本书主要论述了SiC材料与器件中的相关基础理论，内容包括：SiC材料特性、SiC同质外延和异质外延、SiC欧姆接触、肖特基势垒二极管、大功率PiN整流器、SiC：微波二极管、SiC晶闸管、SiC静态感应晶体管、SiC衬底材料生长、SiC深能级缺陷、SiC结型场效应晶体管，以及SiC BJT等。

• 510 1_ |a SiC materials and devices, volume Ⅰ&Ⅱ |z eng

• 606 0_ |a Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体 |x 半导体材料 |j 教材

• 606 0_ |a Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体 |x 半导体器件 |j 教材

• 690 __ |a TN304.2 |v 5

• 701 _0 |c (美) |a 舒尔 |A shu er |c (Shur, Michael) |4 主编

• 701 _1 |c (美) |a Rumyantsev |b Sergey |4 主编

• 701 _1 |c (俄) |a Levinshtein |b Michael |4 主编

• 702 _0 |a 杨银堂 |A yang yin tang |4 译

• 702 _0 |a 贾护军 |A jia hu jun |4 译

• 702 _0 |a 段宝兴 |A duan bao xing |4 译

• 801 _0 |a CN |b HDUL |c 20130108

• 856 4_ |u http://www.zxhsd.com/kgsm/ts/2012/09/14/2353334.shtml

• 905 __ |a HDUL |d TN304.2/820

• 920 __ |a 233030 |z 1