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• 010 __ |a 978-7-121-34403-9 |d CNY149.00

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• 200 1_ |a 集成微电子器件 |A ji cheng wei dian zi qi jian |e 英文版 |d = Integrated microelectronic devices: physics and modeling |f (美) Jesús A. del Alamo著 |z chi

• 205 __ |a 影印版

• 210 __ |a 北京 |c 电子工业出版社 |d 2019

• 215 __ |a 22, 842页 |c 图 |d 26cm

• 225 2_ |a 国外电子与通信教材系列 |A guo wai dian zi yu tong xin jiao cai xi lie

• 306 __ |a 本书英文影印版专有出版权由Pearson Education（培生教育出版集团）授予

• 314 __ |a Jesús A. del Alamo，美国麻省理工学院电气工程与计算机科学系Donner教授和电气工程教授，同时也是麻省理工学院微系统技术实验室主任。于西班牙马德里政治大学获得电信工程师学位，并于斯坦福大学获得电气工程硕士和博士学位。

• 314 __ |a 责任者del Alamo规范汉译姓: 德尔阿拉莫

• 320 __ |a 有索引

• 330 __ |a 本书的重要特点是以与现代集成微电子学相关的方式介绍半导体器件操作的基本原理，不涉及任何光学或者功率器件，重点强调集成微电子器件的频率响应、布局、集合效应、寄生问题以及建模等。本书分为两部分，合计11章。第一部分(第1章至第5章)介绍半导体物理的基本原理，包括电子和光子及声子、平衡状态下的载流子统计学、载流子产生与复合、载流子漂移和扩散、载流子运动以及PN结二极管，涵盖能带结构、电子统计、载流子产生与复合、漂移和扩散、多数载流子和少数载流子等相关知识。第二部分(第6章至第11章)分别讲解肖特基二极管与欧姆接触、硅表面与金属氧化物半导体结构、长金属氧化物半导体场效应晶体管、短金属氧化物半导体场效应晶体管以及双极结晶体管，详细探讨各种器件的物理及操作原理。各章涵盖了不理想性、二阶效应以及其他与实际器件相关的重要因素。全书的内容架构有利于学生的理论知识学习与未来工作实践的衔接过渡。

• 410 _0 |1 2001 |a 国外电子与通信教材系列

• 606 0_ |a 微电子技术 |A wei dian zi ji shu |x 电子器件 |j 教材 |x 英文

• 690 __ |a TN4 |v 5

• 701 _1 |a 德尔阿拉莫 |A de er a la mo |g (del Alamo, Jesús A. ) |4 著

• 801 _0 |a CN |b HDUL |c 20190912

• 905 __ |a HDUL |d TN4/227

• 920 __ |a 233030 |z 1