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• 010 __ |a 978-7-5606-6312-8 |b 精装 |d CNY128.00

• 100 __ |a 20221103d2022 em y0chiy50 ea

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• 102 __ |a CN |b 610000

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• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 氮化物半导体太赫兹器件 |A dan hua wu ban dao ti tai he zi qi jian |d Nitride semiconductor terahertz device |f 冯志红编著 |g 参编王元刚 ... [等] |z eng

• 210 __ |a 西安 |c 西安电子科技大学出版社 |d 2022

• 215 __ |a 307页, [4] 页图版 |c 图 (部分彩图) |d 25cm

• 225 2_ |a 宽禁带半导体前沿丛书 |A kuan jin dai ban dao ti qian yan cong shu

• 300 __ |a 国家出版基金项目

• 304 __ |a 题名页题: 参编王元刚, 孙建东, 吕元杰, 吴爱华, 宋旭波等

• 330 __ |a 随着太赫兹技术的发展, 传统固态器件在耐受功率等方面已经很难提升, 导致现有的太赫兹源输出功率低, 不能满足太赫兹系统工程化的需求。宽禁带半导体氮化镓具有更高击穿场强、更高热导率和更低介电常数的优点, 在研制大功率固态源、高速调制和高灵敏探测方面具有优势。本书主要介绍氮化物太赫兹器件的最新进展, 包括氮化镓太赫兹二极管、三极管、倍频器、功率放大器、直接调制器和高灵敏探测器等, 涉及器件的基本工作原理、设计方法、工艺方法、测试方法和应用等。

• 410 _0 |1 2001 |a 宽禁带半导体前沿丛书

• 510 1_ |a Nitride semiconductor terahertz device |z eng

• 606 0_ |a 电磁辐射 |A dian ci fu she |x 应用 |x 氮化镓 |x 半导体器件 |x 研究

• 690 __ |a TN303 |v 5

• 701 _0 |a 冯志红 |A feng zhi hong |4 编著

• 702 _0 |a 王元刚 |A wang yuan gang |4 参编

• 702 _0 |a 孙建东 |A sun jian dong |4 参编

• 801 _0 |a CN |b HDUL |c 20221206

• 905 __ |a HDUL |d TN303/3421

• 920 __ |a 233030 |z 1