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• 010 __ |a 978-7-121-38073-0 |d CNY128.00

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• 101 1_ |a chi |c eng

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• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 现代VLSI器件基础 |A xian dai VLSIqi jian ji chu |f (美) 陶元, 甯德雄著 |d Fundamentals of modern VLSI devices |f Yuan Taur, Tak H. Ning |g 黄如 ... [等] 译 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 电子工业出版社 |d 2020

• 215 __ |a xxiii, 484页 |c 图 |d 26cm

• 225 2_ |a 集成电路系列丛书 |A ji cheng dian lu xi lie cong shu

• 304 __ |a 题名页题: 黄如, 王润声, 黎明, 蔡一茂, 谢倩等译

• 305 __ |a 译自原书第2版

• 306 __ |a 本书中文简体版专有出版权由Yuan Taur, Tak H. Ning授子电子工业出版社

• 320 __ |a 有书目 (第462-484页)

• 330 __ |a 本书旨在深度剖析影响现代VLSI器件性能的主要因素。本书首先分析了VLSI器件的基本器件物理, 这对于单个器件的参数设计是非常有帮助的; 然后本书从基础电路层面分析了器件参数对现代小尺寸VLSI器件性能的影响, 本书用大量篇幅对现代CMOS器件、双极器件参数之间的相互影响和器件参数的折中设计进行了深度分析和讨论。本书涵盖了CMOS器件和双极器件、电路相关的基本物理原理知识。

• 410 _0 |1 2001 |a 集成电路系列丛书

• 500 10 |a Fundamentals of modern VLSI devices |A Fundamentals of modern VLSI devices |m Chinese

• 606 0_ |a VLSI芯片 |A VLSIxin pian |x 电路设计

• 690 __ |a TN470.2 |v 5

• 701 _0 |a 陶元 |A tao yuan |4 著

• 701 _0 |a 甯德雄 |A ning de xiong |4 著

• 702 _0 |a 黄如 |A huang ru |4 译

• 702 _0 |a 王润声 |A wang run sheng |4 译

• 801 _0 |a CN |b HDUL |c 20200916

• 905 __ |a HDUL |d TN470.2/710

• 920 __ |a 233030 |z 1