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- 000 01587nam0 2200313 450
- 010 __ |a 978-7-121-17595-4 |d CNY78.00
- 100 __ |a 20121009d2012 em y0chiy0110 ea
- 200 1_ |a CMOS射频集成电路设计 |A CMOS she pin ji cheng dian lu she ji |d The design of CMOS radio-frequency integrated circuits |f (美)Thomas H. Lee著 |g 余志平,周润德等译 |z eng
- 210 __ |a 北京 |c 电子工业出版社 |d 2012
- 215 __ |a 18,596页 |c 图 |d 26cm
- 330 __ |a 本书介绍了设计千兆赫兹(GHz)CMOS射频集成电路的细节。本书首先简要介绍了无线电发展史和无线系统原理;在回顾集成电路元件特性、MOS器件物理和模型、RLC串并联和其他振荡网络及分布式系统特点的基础上,介绍了史密斯圆图、S参数和带宽估计技术;着重说明了现代高频宽带放大器的设计方法,详细讨论了关键的射频电路模块,包括低噪声放大器(LNA)、基准电压源、混频器、射频功率放大器、振荡器和频率综合器。对于射频集成电路中存在的各类噪声及噪声特性(包括振荡电路中的相位噪声)进行了探讨。本书最后考察了收发器的总体结构并展望了射频电路未来发展的前景。
- 510 1_ |a Design of CMOS radio-frequency integrated circuits |z eng
- 606 0_ |a COMS电路 |x 电路设计 |x 高等学校 |j 教材
- 701 _0 |c (美) |a 李 |A li |c (Lee, Thomas H.) |4 著
- 702 _0 |a 余志平 |A yu zhi ping |4 译
- 702 _0 |a 周润德 |A zhou run de |4 译
- 801 _0 |a CN |b HDUL |c 20130109
- 856 4_ |u http://www.zxhsd.com/kgsm/ts/2012/09/11/2344845.shtml
- 905 __ |a HDUL |d TN432/400/2