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• 000 01793nam 2200349 450

• 001 0000917698

• 005 20240612141500.0

• 010 __ |a 978-7-111-73426-0 |d CNY119.00

• 100 __ |a 20231026d2023 em y0chiy50 ea

• 101 1_ |a chi |c eng

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a ak a 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 半导体干法刻蚀技术 |A ban dao ti gan fa ke shi ji shu |e 原子层工艺 |f (美)索斯藤·莱尔著 |g 丁扣宝译 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2023

• 215 __ |a XIV, 225页 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a 集成电路科学与工程丛书 |A ji cheng dian lu ke xue yu gong cheng cong shu

• 306 __ |a 由Wiley授权出版

• 312 __ |a 原文题名取自封面

• 314 __ |a Thorsten Lill博士, 美国泛林集团 (Lam Research) 新兴刻蚀技术和系统事业部副总裁。他在德国弗莱堡大学获得物理学博士学位, 并在美国阿贡国家实验室进行博士后研究。他在该领域发表了88篇文章, 拥有89项专利。

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 集成电路制造向几纳米节点工艺的发展, 需要具有原子级保真度的刻蚀技术, 原子层刻蚀 (ALE) 技术应运而生。本书主要内容有: 热刻蚀、热各向同性ALE、自由基刻蚀、定向ALE、反应离子刻蚀、离子束刻蚀等, 探讨了尚未从研究转向半导体制造的新兴刻蚀技术, 涵盖了定向和各向同性ALE的全新研究和进展。本书以特定的刻蚀应用作为所讨论机制的示例, 例如栅极刻蚀、接触孔刻蚀或3DNAND通道孔刻蚀, 有助于对所有干法刻蚀技术的原子层次理解。

• 410 _0 |1 2001 |a 集成电路科学与工程丛书

• 500 10 |a Atomic layer processing : semiconductor dry etching technology |A Atomic Layer Processing : Semiconductor Dry Etching Technology |m Chinese

• 517 1_ |a 原子层工艺 |A yuan zi ceng gong yi

• 606 0_ |a 半导体工艺 |A ban dao ti gong yi |x 干法刻蚀

• 690 __ |a TN305.7 |v 5

• 701 _1 |a 莱尔 |A lai er |g (Lill, Thorsten) |4 著

• 702 _0 |a 丁扣宝 |A ding kou bao |4 译

• 801 _0 |a CN |b HDUL |c 20231122

• 905 __ |a HDUL |d TN305.7/420

• 920 __ |a 233030 |z 1