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• 010 __ |a 978-7-111-69552-3 |d CNY139.00

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• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 氮化镓功率晶体管 |A dan hua jia gong lv jing ti guan |e 器件、电路与应用 |f (美) 亚历克斯·利多 ... [等] 著 |g 段宝兴, 杨银堂等译

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2022

• 215 __ |a xiv, 289页 |c 图 (部分彩图) |d 24cm

• 225 2_ |a 集成电路科学与工程丛书 |A ji cheng dian lu ke xue yu gong cheng cong shu

• 304 __ |a 题名页题: (美) 亚历克斯·利多, 迈克尔·德·罗伊, 约翰·斯其顿, 戴维·罗伊施, 约翰·格拉泽著

• 305 __ |a 译自原书第3版

• 306 __ |a 本书中文简体字版由Wiley授权机械工业出版社出版

• 312 __ |a 英文题名原文取自版权页

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书共17章, 第1章概述了氮化镓 (GaN) 技术; 第2章为GaN晶体管的器件物理; 第3章介绍了GaN晶体管驱动特性; 第4章介绍了GaN晶体管电路的版图设计; 第5章讨论了GaN晶体管的建模和测l量; 第6章介绍了GaN晶体管的散热管理; 第7章介绍了硬开关技术; 第8章介绍了软开关技术和变换器; 第9章介绍了GaN晶体管射频性能; 第10章介绍了DC-DC功率变换; 第11章讨论了多电平变换器设计; 第12章介绍了D类音频放大器; 第13章介绍了GaN晶体管在激光雷达方面的应用; 第14章介绍了包络跟踪技术; 第15章讨论了高谐振无线电源; 第16章讨论了GaN晶体管的空间应用; 第17章分析了GaN晶体管替代硅功率晶体管的原因。

• 410 _0 |1 2001 |a 集成电路科学与工程丛书

• 500 10 |a GaN transistors for efficient power conversion |A GaN transistors for efficient power conversion |m Chinese

• 517 1_ |a 器件、电路与应用 |A qi jian 、dian lu yu ying yong

• 606 0_ |a 氮化镓 |A dan hua jia |x 功率晶体管 |x 研究

• 690 __ |a TN323 |v 5

• 701 _1 |a 利多 |A li duo |g (Lidow, Alex) |4 著

• 701 _1 |a 罗伊 |A luo yi |g (Rooijm, Michael de) |4 著

• 701 _1 |a 斯其顿 |A si qi dun |g (Strydom, Johan) |4 著

• 702 _0 |a 段宝兴 |A duan bao xing |4 译

• 702 _0 |a 杨银堂 |A yang yin tang |4 译

• 801 _0 |a CN |b HDUL |c 20220330

• 905 __ |a HDUL |d TN323/220/2

• 920 __ |a 233030 |z 1