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• 005 20081114092800.0

• 010 __ |a 978-7-118-05408-8 |b 精装 |d CNY55.00

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• 200 1_ |a 先进半导体材料及器件的辐射效应 |A xian jin ban dao ti cai liao ji qi jian de fu she xiao ying |d = Radiation effects in advanced semiconductor materials and devices |f (比)C. Claeys, (比)E. Simoen著 |g 刘忠立译 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 国防工业出版社 |d 2008

• 215 __ |a 13, 428页 |c 图 |d 21cm

• 300 __ |a 本书由总装备部装备科技译著出版基金资助出版

• 305 __ |a 由Springer-Verlag Berlin Heidelberg授权出版

• 330 __ |a 本书在介绍辐射环境、空间应用器件的选择策略以及半导体材料和器件的基本辐射效应机理的基础上，介绍IV族半导体材料、CaAs材料、硅双极器件以及MOS器件的辐射损伤等，并对先进半导体材料及器件的应用前景进行展望。

• 510 1_ |a Radiation effects in advanced semiconductor materials and devices |z eng

• 606 0_ |a 高技术 |A gao ji shu |x 半导体材料 |x 辐射效应

• 606 0_ |a 高技术 |A gao ji shu |x 半导体器件 |x 辐射效应

• 690 __ |a TN304 |v 4

• 701 _1 |c (比) |a 克拉艾 |A ke la ai |b C. |4 著

• 701 _1 |c (比) |a Claeys |b C. |4 著

• 701 _1 |c (比) |a 西蒙恩 |A xi meng en |b E. |4 著

• 701 _1 |c (比) |a Simoen |b E. |4 著

• 702 _0 |a 刘忠立 |A liu zhong li |4 译

• 801 _0 |a CN |b HDUL |c 20081114

• 905 __ |a HDUL |d TN304/454

• 920 __ |a 233030 |z 1