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- 000 01345nam0 2200289 450
- 010 __ |a 978-7-122-43276-6 |b 精装 |d CNY198.00
- 100 __ |a 20230823d2023 em y0chiy50 ea
- 200 1_ |a 半导体先进光刻理论与技术 |A ban dao ti xian jin guang ke li lun yu ji shu |f (德) 安德里亚斯·爱德曼著 |d = Optical and EUV lithography: a modeling perspective |f Andreas Erdmann |g 李思坤译 |z eng
- 210 __ |a 北京 |c 化学工业出版社 |d 2023
- 215 __ |a 304页 |c 图 (部分彩图) |d 24cm
- 330 __ |a 本书是半导体先进光刻领域的综合性著作, 介绍了当前主流的光学光刻、先进的极紫外光刻以及下一代光刻技术。主要内容涵盖光刻理论、工艺、材料、设备、关键部件、分辨率增强、建模与仿真、典型物理与化学效应等 ; 介绍了光刻技术的前沿进展, 还总结了极紫外光刻的特点、存在问题与发展方向。书中融入了作者对光刻技术的宝贵理解与认识, 是作者多年科研与教学经验的结晶。
- 510 1_ |a Optical and EUV lithography: a modeling perspective |z eng
- 606 0_ |a 半导体光电器件 |A ban dao ti guang dian qi jian |x 光刻设备 |x 研究
- 701 _1 |a 爱德曼 |A ai de man |g (Erdmann, Andreas) |4 著
- 702 _0 |a 李思坤 |A li si kun |4 译
- 801 _0 |a CN |b HDUL |c 20231011
- 905 __ |a HDUL |d TN305.7/226