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• 005 20221019101600.0

• 010 __ |a 978-7-5478-5721-2 |d CNY128.00

• 100 __ |a 20220923d2022 em y0chiy50 ea

• 101 1_ |a chi |c eng

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• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 极紫外光刻 |A ji zi wai guang ke |f (美) 哈利·杰·莱文森著 |d Extreme ultraviolet lithography |f Harry J. Levinson |g 高伟民译 |z eng

• 210 __ |a 上海 |c 上海科学技术出版社 |d 2022

• 215 __ |a 206页, [4] 页图版 |c 图 (部分彩图) |d 24cm

• 314 __ |a 哈利·杰·莱文森, 国际光学工程学会 (SPIE) 会士, HJLLithography的独立光刻顾问和首席光刻师, 专注于光刻领域多年。高伟民以, 阿斯麦公司 (ASML) 中国区技术总监, 资深的光刻技术专家。获浙江大学光学工程学士学位和比利时鲁汶大学物理学硕士、博士学位。

• 320 __ |a 有书目和索引

• 330 __ |a 本书是一本论述极紫外光刻 (extreme ultraviolet lithography, EUV) 技术的最新专著。该书全面而又精炼地介绍了极紫外光刻技术的各个方面及其发展历程, 不仅涵盖极紫外光源、极紫外光刻曝光系统、极紫外掩模板、极紫外光刻胶、极紫外计算光刻等方面, 还介绍了极紫外光刻生态系统的其他方面, 如极紫外光刻工艺特点和工艺控制、极紫外光刻量测的特殊要求, 以及对技术发展路径有着重要影响的极紫外光刻的成本分析等内容。最后, 本书还对满足未来芯片工艺节点要求的极紫外光刻技术的发展方向进行了探讨。

• 500 10 |a Extreme ultraviolet lithography |A Extreme ultraviolet lithography |m Chinese

• 606 0_ |a 紫外线 |A zi wai xian |x 光刻系统 |x 研究

• 690 __ |a TN305.7 |v 5

• 701 _1 |a 莱文森 |A lai wen sen |g (Levinson, Harry J.) |4 著

• 702 _0 |a 高伟民 |A gao wei min |4 译

• 801 _0 |a CN |b HDUL |c 20221019

• 905 __ |a HDUL |d TN305.7/404

• 920 __ |a 233030 |z 1