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• 200 1_ |a 多尺度模拟方法在半导体材料位移损伤研究中的应用 |A duo chi du mo ni fang fa zai ban dao ti cai liao wei yi sun shang yan jiu zhong de ying yong |f 贺朝会...[等]著

• 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2023

• 215 __ |a 198页 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a 辐射环境模拟与效应丛书 |A fu she huan jing mo ni yu xiao ying cong shu

• 304 __ |a 题名页题其余责任者: 唐杜, 臧航, 邓亦凡, 田赏

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书从位移损伤的概念和特点入手, 引入位移损伤缺陷的产生及演化模拟研究涉及的模拟方法, 系统介绍了不同尺度的模拟方法, 包括辐射与材料相互作用模拟方法、分子动力学方法、动力学蒙特卡罗方法、第一性原理方法、器件电学性能模拟方法等, 并分别给出了多尺度模拟方法在硅、砷化镓、碳化硅、氨化镓材料位移损伤研究中的应用, 实例展示多尺度模拟方法的具体应用, 期望帮助相关科研人员掌握多尺度模拟方法。此外, 不同于多尺度模拟方法的简单教程, 本书通过多尺度模拟研究揭示的位移损伤规律更具学术意义, 研究成果对理解辐射在半导体材料中的位移损伤机理有重要价值。

• 410 _0 |1 2001 |a 辐射环境模拟与效应丛书

• 606 0_ |a 半导体材料 |A ban dao ti cai liao |x 损伤 |x 研究

• 690 __ |a TN304 |v 5

• 701 _0 |a 贺朝会 |A he chao hui |4 著

• 801 _0 |a CN |b HDUL |c 20231122

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